看板 Tech_Job
MRAM:磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory) RRAM:電阻式隨機存取記憶體(Resistive Random Access Memory) 都是新興的記憶體技術 想請問板上專家們,如何看這兩種記憶體技術的發展如何? 是否未來未來會很有市場 感覺可能可以吃到未來的edge AI的市場? 不知道版友們怎麼看,謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.137.254.183 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1751635652.A.301.html
oysteromele: 兩個記憶體取代DRAM高功耗。但DRAM市 36.236.253.115 07/04 22:13
oysteromele: 場捲的差不多了。如果量產[會挑戰PC 36.236.253.115 07/04 22:13
oysteromele: 既有的配置]未來我選2,磁阻技術目前 36.236.253.115 07/04 22:13
oysteromele: 只有在MEMS(螺旋儀)比較成熟,電阻 36.236.253.115 07/04 22:13
Chricey: GABA 112.210.206.138 07/04 22:13
oysteromele: 技術比較好控制。個人淺見! 36.236.253.115 07/04 22:13
pf775: 都會被臺積電屌打吧 114.136.130.21 07/04 22:47
oysteromele: G的新聞稿有…你可以自己查XD 36.236.253.115 07/04 22:50
Chricey: 魚油 112.207.206.2 07/04 22:50